Что дает разгон оперативной памяти?

Почему вам стоит разгонять оперативную память (это легко!)

Что дает разгон оперативной памяти?

Любая программа на ПК использует для работы оперативную память, RAM. Ваша RAM работает на определённой скорости, заданной производителем, но несколько минут копания в BIOS могут вывести её за пределы стандартных спецификаций.

Да, скорость работы памяти имеет значение

Каждая запускаемая вами программа загружается в память с вашего SSD или жёсткого диска, скорость работы которых гораздо ниже, чем у памяти. После загрузки программа обычно остаётся в памяти некоторое время, и CPU получает к ней доступ по необходимости. Улучшение скорости работы памяти может напрямую улучшить эффективность работы CPU в определённых ситуациях, хотя существует и точка насыщения, после которой CPU уже не в состоянии использовать память достаточно быстро.

В повседневных задачах несколько дополнительных наносекунд не принесут вам особой пользы, но если вы занимаетесь обработкой больших массивов чисел, вам может помочь любое небольшое увеличение эффективности.
В играх скорость RAM может ощущаться гораздо сильнее. У каждого кадра есть только несколько миллисекунд на обработку кучи данных, поэтому если вы играете в игру, зависящую от скорости CPU (к примеру, CSGO), ускорение памяти может увеличить частоту кадров.

Посмотрите на это измерение скорости от Linus Tech Tips: Средняя частота кадров вырастает на несколько процентов с увеличением скорости RAM, когда большую часть работы делает CPU. Сильнее всего скорость памяти проявляется на минимальном показателе частоты; когда загрузка новой области или нового объекта должна произойти за один кадр, он будет прорисовываться дольше обычного, если будет ожидать загрузки данных в память.

Это называется «микрозаикание», или «фриз», и игра может производить впечатление заторможенности даже при хороших показателях средней частоты кадров.

Разгонять память не страшно

Разгонять память совсем не так страшно, как разгонять CPU или GPU. Разгоняя CPU, вы должны следить за его охлаждением, за тем, справится ли охлаждение с увеличением частоты. Работать CPU или GPU могут гораздо громче, чем обычно [видимо, имеется в виду работа кулеров / прим. перев.].

Память не особенно перегревается, поэтому разгонять её довольно безопасно. Даже на нестабильных частотах худшее, что может произойти – это выявление ошибки при тесте на стабильность.

Однако если вы проводите эти эксперименты на ноутбуке, вам нужно убедиться, что вы сможете очистить CMOS (восстановив настройки в BIOS по умолчанию), если что-то пойдёт не так.

Скорость, тайминги и CAS-латентность

Скорость работы памяти обычно измеряют в мегагерцах, МГц [так в оригинале; конечно, в герцах измеряют частоту, а частота влияет на скорость работы / прим. перев.]. Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду можно получить доступ в память), совпадающая с мерой скорости CPU. Стоковая частота DDR4 (современного типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. Однако на самом деле это немного маркетинг: DDR обозначает «удвоенную скорость данных», то есть что память читает и пишет дважды за один такт.

Так что на самом деле её скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегатактов в секунду. Но большая часть DDR4 RAM работает на 3000 МГц, 3400 МГц или выше – благодаря XMP (Extreme Memory Profile). XMP, по сути, позволяет памяти сообщить системе: «Да, я знаю, что DDR4 должна поддерживать частоту до 2666 МГц, но почему бы тебе не ускорить меня?» Это ускорение из коробки, предварительно настроенное, проверенное и готовое к запуску.

Оно достигается на уровне железа, при помощи чипа на памяти под названием Serial Presence Detect (SPD), поэтому на одну планку может быть только один профиль XMP: У каждой планки памяти есть несколько встроенных вариантов тактовой частоты; стоковый вариант использует ту же самую систему SPD под названием JEDEC. Любая частота, превышающая скорость JEDEC, считается разгоном – то есть, XMP получается просто профилем JEDEC, разогнанным на заводе. Тайминги RAM и CAS-латентность – два разных способа измерять скорость памяти.

Они измеряют задержку (то, насколько быстро RAM реагирует на запросы). CAS-латентность – это мера того, сколько тактов проходит между командой READ, отправленной в память, и получением процессором ответа. Её обычно обозначают «CL» и указывают после частоты памяти, например: 3200 Mhz CL16.

Она обычно связана со скоростью работы памяти – чем больше скорость, тем больше CAS-латентность.

Но CAS-латентность – лишь один из множества разных таймингов и таймеров, с которыми работает RAM; все остальные обычно просто называются таймингами памяти. Чем меньше тайминги, тем быстрее будет ваша память. Если вам захочется подробнее узнать о каждом из таймингов, прочитайте руководство от Gamers Nexus.

XMP не будет делать всё за вас

Вы можете купить планку памяти от G.Skill, Crucial или Corsair, но эти компании не производят сами чипы DDR4, лежащие в основе RAM. Они покупают чипы у фабрик, изготавливающих полупроводниковые устройства, что означает, что вся память на рынке происходит из небольшого количества главных точек: Samsung, Micron и Hynix.

Кроме того, модные планки памяти, которые помечаются как 4000 МГц и выше, и у которых заявлена низкая CAS-латентность, на самом деле не отличаются от «медленной» памяти, стоящей в два раза дешевле.

Оба варианта используют чипы памяти Samsung B-die DDR4, просто у одного из них золотистый радиатор, цветные огоньки и украшенный стразами верх (да, это реально можно купить).

Приходя с фабрики, чипы подвергаются проверкам при помощи процесса под названием «биннинг». И не вся память показывает наилучшие результаты. Некоторые чипы хорошо ведут себя на частотах 4000 МГц и выше с низкой CAS-латентностью, а некоторые не работают выше 3000 МГц. Это называется кремниевой лотереей, и именно она повышает цену на высокоскоростные планки. Но заявленная скорость не обязательно ограничивает реальный потенциал вашей памяти. Скорость XMP – это просто рейтинг, гарантирующий, что планка памяти будет работать на указанной скорости 100% времени. Тут играют большую роль маркетинг и сегментация продуктов, чем ограничения RAM; никто не запрещает вашей памяти работать за пределами спецификаций, просто включить XMP легче, чем разгонять память самому.

Также XMP ограничен определённым набором таймингов. Согласно представителям Kingston, в памяти «настраиваются только ’основные’ тайминги (CL,RCD,RP,RAS)», и поскольку у SPD есть ограниченное место для хранения профилей XMP, всё остальное решает материнская плата, которая не всегда делает верный выбор. В моём случае материнка Asus в режиме «авто» установила очень странные значения некоторых таймингов. Моя планка памяти отказалась работать по умолчанию, пока я не исправил эти тайминги вручную.

Читайте также  За что отвечает оперативная память в играх?

Кроме того, биннинг на фабрике жёстко задаёт диапазон напряжения, в котором должна работать память. К примеру, фабрика протестирует память с напряжением в 1,35 В, не будет продолжать тест, если память не покажет максимальных результатов, и даст ей метку «3200 МГц», под которую попадает большинство планок. Но что, если запустить память с напряжением в 1,375 В? А 1,39 В? Эти цифры еще очень далеки от опасных для DDR4 напряжений, но даже небольшой прирост напряжения может помочь значительно увеличить частоту памяти.

Как разгонять память

Самое сложное в разгоне памяти – определить, какие частоты и тайминги нужно использовать, поскольку в BIOS есть более 30 различных настроек. К счастью, четыре из них считаются «основными» таймингами, и их можно подсчитать при помощи программы Ryzen DRAM Calculator. Она предназначена для систем на базе AMD, но будет работать и для пользователей Intel, поскольку в основном предназначена для расчётов таймингов памяти, а не CPU.

Скачайте программу, введите скорость памяти и тип (если он вам неизвестен, то быстрый поиск серийного номера в Google может выдать вам результаты). Нажмите кнопку R-XMP для загрузки спецификаций, и нажмите Calculate SAFE [безопасный вариант] или Calculate FAST [быстрый вариант], чтобы получить новые тайминги.

Эти тайминги можно сравнить с прописанными спецификации при помощи кнопки Compare timings – тогда вы увидите, что на безопасных настройках всё немножечко подкручено, а основная CAS-латентность уменьшена на быстрых настройках. Будут ли у вас работать быстрые настройки – вопрос удачи, поскольку это зависит от конкретной планки, но у вас, вероятно, получится заставить память работать с ними в безопасном диапазоне напряжений.

Скриншот программы лучше отправить на другое устройство, поскольку вам понадобится редактировать настройки таймингов в BIOS компьютера. Затем, когда всё работает, вам нужно будет проверить стабильность разгона при помощи встроенного в калькулятор инструмента. Это процесс долгий, и вы можете прочитать наше руководство по разгону памяти, чтобы узнать все его подробности.

Хабы:

Источник: https://habr.com/ru/post/469869/

Как разогнать оперативную память DDR4

Что дает разгон оперативной памяти?

Занимаясь разгоном комплектующих ПК, пользователи зачастую уделяют внимание центральному процессору и видеокарте, при этом напрочь забывая о такой важной составляющей как оперативная память.

И, стоит отметить, совершенно незаслуженно, ведь разгон оперативной памяти может дополнительно увеличить скорость работы вашей системы в многозадачном режиме, уменьшить время архивации файлов или прибавить пару кадров в секунду в любимой игре.

Но, даже если вы обычно не занимаетесь разгоном, дополнительная производительность никогда не помешает. Сегодня мы рассмотрим, как разогнать DDR4 – оперативную память нового стандарта, которая пришла на смену DDR3.

Редакция благодарит компанию Avexir Technologies, любезно предоставившую память для тестирования.

По сравнению DDR3, память стандарта DDR4 работает не только на более высокой частоте, но и при более низком напряжении питания. На самом деле, отличий между поколениями памяти не так уж много, но, если у вас есть такая возможность, несомненно, лучше покупать более новую память на перспективу. Память нового стандарта поддерживают материнские платы с процессорным сокетом Socket 1151 (Intel Skylake) и Socket 2011-v3 (Intel Haswell-E).

Но если вас интересуют возможности разгона памяти – подойдут только флагманские материнские платы на чипсетах Intel Z170 и Intel X99 соответственно.

Кроме надежной компонентной базы и готовых профилей для разгона памяти, платы также предлагают поддержку технологии DDR4 Boost, которая, полностью изолируя подсистему памяти от других компонентов, обеспечивает максимально возможную частоту работы памяти для лучшей производительности и стабильности.

Кроме поддержки разгона со стороны материнской платы вам также понадобится оперативная память стандарта DDR4 которая выдержит повышенную нагрузку. Для тестирования мы выбрали пару модулей Avexir Core DDR4 по 8 ГБ каждый с базовой частотой 2400 МГц.

Если вы не используете дискретную видеокарту, плашки оперативной памяти нужно вставлять через слот (обычно промаркированы одним цветом), чтобы таким образом задействовать её в двухканальном режиме, что увеличит производительность интегрированной графической подсистемы процессора.

Процедура разгона

Сразу после установки оперативка зачастую работает на своей минимальной частоте, либо на частоте, которую официально поддерживает процессор. В нашем случае, Avexir Core DDR4 заработала на своей заявленной штатной частоте 2400 МГц при таймингах 16-16-16-36.

Проводить разгон памяти мы будем при помощи встроенных средств  UEFI-BIOS нашей материнской платы. Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS был тщательно спрятан. Сейчас же они все как на ладони, более того их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться, поэтому производители плат постарались вынести главные переключатели на видное место и сделать процедуру разгона памяти максимально простой и понятной.

И для начала заходим в UEFI-BIOS, нажимая F8 или Del на клавиатуре во время включения ПК, и переходим в раздел Overclocking Mode (OC Mode). Последний может называться немного по другому в зависимости от производителя вашей материнской платы. В этом меню ищем пункт “DRAM Frequency” и выбираем более высокое значение частоты памяти. Стоит отметить, что тут предоставлены допустимые значения на основе готовых XMP-профилей.

Нужно постепенно, шаг за шагом, повышать рабочие частоты памяти. Если “перегнуть палку”, то система может просто не запуститься. Если такое произошло – не паникуйте. Благо, современные материнки аварийно откатывают настройки к значениям по-умолчанию в случае нескольких неудачных запусков подряд, либо же это можно сделать вручную дернув перемычку Clear CMOS на самой плате.

Также частоту памяти, напряжение питания и тайминги можно подбирать экспериментальным методом, более глубоко копнув настройки вашего BIOS, но мы настоятельно советуем делать это только опытным пользователям на свой страх и риск, ведь далеко не факт, что вам удастся подобрать соотношение лучше, чем то что предусмотрено предустановленным XMP-профилем.

Результаты тестирования

По умолчанию Avexir Core DDR4 работает на частоте  2400 МГц с напряжением питания 1,2 В и таймингами 16-16-16-36. В пару кликов нам удалось увеличить рабочую частоту памяти до 2800 МГц.

Тайминги остались прежними, а напряжение при этом возросло до 1,4 В. Давайте посмотрим, что нам дал разгон памяти на примере бенчмарка Geekbench.

Результаты разгона оперативной памяти Avexir Core DDR4

Номинальное значение Разгон Прирост, %
Частота памяти 2400 МГц 2800 МГц 16,6
Однопоточная производительность, баллы 3930 4035 2,7
Многопоточная производительность, баллы 8323 8478 1,8

Подробные результаты тестов:

  • Номинальное значение
  • Разгон

В результате разгона скорость работы оперативной памяти возросла почти на 17%, при этом однопоточная производительность увеличилась почти на 3% а многопоточная – на 2%. Как видим, прирост производительности не пропорционален приросту рабочих частот памяти, но, тем не менее он есть.

Выводы

Как видим по результатам тестирования Avexir Core DDR4, разогнать оперативную память DDR4 на нынешнем этапе достаточно просто. Разгон памяти хоть и не дает столь существенного прироста производительности ПК, как разгон процессора или видеокарты, но, тем не менее, все равно чуточку ускоряет работу некоторых памятезависимых приложений.

Более того, разгон оперативной памяти благоприятно сказывается на работе интегрированной графической подсистемы процессоров Intel. Ну и, в конце-концов, всегда приятно осознавать что пользуешься хорошей и быстрой памятью с завидным потенциалом.

Читайте также  Чем отличается оперативная память ddr2 от ddr3?

Купить продукцию Avexir можно в магазинах:

  • КТС
  • МИКРОТРОН
  • MATRIX
  • ЭЛЬДОРАДО
  • ЭЛИТ-ТЕХ
  • ТВІЙ ДІМ

По вопросам оптовых закупок пишите на info@aap.com.ua

Источник: https://root-nation.com/pc/hardware/ddr4-overclocking/

Выжимаем соки из ПК: разгон памяти

Что дает разгон оперативной памяти?

Как показывает практика, многие пользователи и не подозревают о том, что апгрейд ПК — не единственный вариант увеличения производительности компьютера. В прошлых публикациях из серии материалов «Выжимаем соки из ПК», мы рассказывали вам о том, как разгонять процессор и видеокарту. Но это не единственные комплектующие, мощность которых можно увеличить программным способом. В эту категорию входит ещё и ОЗУ. В сегодняшней статье мы расскажем вам, как, разгонять оперативную память, как оперативка связана с процессором и для каких систем оверклокинг особенно выгоден.

Какой прирост производительности от разгона?

В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа, потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой.

Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью, зачастую ограничивались производителем.

Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.

Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 — прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.

От чего зависит разгон?

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше. Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти.

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Большое значение имеет и ранг памяти. Существует два основных типа: двухранговая и одноранговая ОЗУ. Если плата содержит набор из восьми 8-битных чипов (в общей сложности получается 64 бита) то это один ранг. Если плата содержит шестнадцать восьмибитных чипов, то она, соответственно, двухранговая.

С точки зрения разгона, single rank намного выгоднее. Он не только дешевле по цене, но и позволяет планке взять более высокую частоту. Dual rank же на стоковых частотах показывает себя, как более мощное устройство, однако покоряет далеко не самые высокие вершины частоты.

Поэтому двухранговая память лучше подойдет в стоковые сборки, где не планируется оверклокинг.

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой «S«. Двухранговые — буквой «D«. Пример:

  • KVR21N15S8/8 — одноранговая.
  • KVR21N15D8/8 — двухранговая.

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело, компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов можно тоже с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию «Системная плата«, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Процесс разгона

Если вы являетесь счастливым обладателем качественно исполненного кита памяти, как, например Corsair Vengeance 3200 МГц, то вас ждет простая и короткая последовательность действий в БИОСе. Достаточно просто выставить соответствующий XMP-профиль в настройках. XMP-профиль — заранее заготовленные разработчиками настройки памяти. Просто выберете нужную вам частоту и XMP профиль автоматически подстроить все остальные параметры. Выбрать профиль можно в разделе «OC», подраздел «Dram settings«. Если память не поддерживает XPM, то придется подбирать все параметры вручную.

Не забудьте выставить напряжение в разделе «Dram Voltage«. Напоминаем, что рекомендуется не превышать отметку в 1,4 В. Можно сразу же выбрать максимальное значение и в случае стабильности системы убавлять.

Следующим шагом будет повышение напряжения контроллера памяти и L-3 кэша. Параметр называется CPU NB/SoC Voltage. В случае если вы не можете в настройках найти данный параметр, то причиной может быть устаревшая версия БИОСа материнской платы.

Например, на материнке Asrock Fatality AB350 Gaming K4 данный функционал открывается только в самой свежей версии БИОСа, которая вышла пару месяцев назад. До этого владельцы такой доски не могли регулировать напряжение контроллера памяти. В среднем, рекомендуемые значения при разгоне находятся в диапазоне от 1,025 до 1,15 В.

Точное значение подбирается экспериментальным путем, потому что сильно зависит от чипов памяти.

После всех проделанных манипуляций остается только подобрать соответствующие тайминги (если, конечно, ваши модули не поддерживают XMP). Тут всё зависит от степени разгона. При небольшом оверклокинге, достаточно поднять все значения на пару тактов. Скажем, с 16-16-16-39

Источник: https://ichip.ru/sovety/ekspluataciya/vyzhimaem-soki-iz-pk-razgon-pamyati-629242

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

Что дает разгон оперативной памяти?

Статьи • 10 Ноября 2019 • Админ Геннадий

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому. 

Делимся переводом, приятного прочтения.

  • Подготовка
  • Ожидания и ограничения
    • Материнская плата
    • Микросхемы
      • Отчёты Thaiphoon Burner
      • О рангах и объёме
      • Масштабирование напряжения
      • Ожидаемая максимальная частота
      • Биннинг
      • Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
      • Ранговость
    • Встроенный контроллер памяти (IMC)
      • Intel – LGA1151
      • AMD – AM4
  • Разгон
    • Нахождение максимальной частоты
    • Пробуем повысить частоты
    • Оптимизация таймингов
    • Дополнительные советы
Читайте также  Как очистить память видеокарты на ноутбуке?

Подготовка

  • Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
  • Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
  • Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
  • С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти.

    От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.

  • Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.
  • TM5 с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.

  • Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:[email protected]».
  • Благодарность: u/nucl3arlion
  • Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
  • Бенчмарки (тесты производительности):
    • AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память.

      Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.

    • MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
    • Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста.

      Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.

    • HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

  • Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
  • На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
    • На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.

    • Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
    • Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List).

      Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.

    • По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц.

      То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

    Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

Микросхемы (чипы памяти)

Отчёты Thaiphoon Burner

  • Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)
  • Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.  Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

  • Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

О рангах и объёме

  • Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
  • Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL.

В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип tCL tRCD tRP tRFC
8 Гб AFR Да Нет Нет ?
8 Гб CJR Да Нет Нет Да
8 Гб Rev. E Да Нет Да ?
8 Гб B-die Да Да Да Да

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.


Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип Ожидаемая максимальная частота (МГц)
8 Гб AFR 3600
8 Гб CJR 4000*
8 Гб Rev. E 4000+
8 Гб B-die 4000+

* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

Источник: https://i2hard.ru/publications/24111/